Фотоелектричні напівпровідники для електронних компонентів

Примітка: Фотодіод 300мВт ТО-5. Виробник: Vishay. Vceo, V: 10 V|Спектр пік., nm: 920 nm|Ic, mA: 60 mA|Ton|Tof, µc : 3,4|3,7 µc|Тип пристрою: Фотодіод

Примітка: Частота: 40 кГц. Виробник: Osram. Vceo, V: 4,5.5,5 V|Спектр 0.5, nm: 940 nm|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Потужність 175 мВт, Опір 6. 18 кОм, Темновий опір 0.1 МОм, Монтаж: THT.|Тип пристрою: Фотоприймач

• Vishay

• Vishay

Примітка: Vceo,V: 32 V|Спектр0.5,nm: 520-960 nm|Спектр_пік.,nm: 780 nm|Ic,mA: 6 mA|Ton/Tof,µc: 1,6/1,7 µc|Додатково: Фототранзистор, прозора лінза, 5...

Примітка: Частота: 36 кГц. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 6,3 V|Спектр 0.5, nm: 830-1100 nm|Спектр пік., nm: 940 nm|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Частота: 36 кГц. Vceo, V: 6,3 V|Спектр 0.5, nm: 830-1100 nm|Спектр пік., nm: 940 nm|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Виробник: Vishay|Vceo,V: 4,5...5,5 V|Додатково: Частота: 40 кГц|Тип: Фотоприймач

Примітка: Потужність 90 мВт, Опір 5. 10 кОм, Темновий опір 0.2 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 100 V|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип...

Примітка: Виробник: Vishay|Vceo,V: 60 V|Спектр0.5,nm: 430-1100 nm|Спектр_пік.,nm: 900 nm|Ton/Tof,µc : 0,1/0,1 µc|Додатково: Фотодіод, DIP-2|Тип:...

Примітка: Частота: 36 кГц. Виробник: Vishay. Vceo, V: 2,5.5,5 V|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Частота: 38 кГц. Виробник: Vishay. Vceo, V: 4,5.5,5 V|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Частота: 36 кГц. Виробник: Vishay. Vceo, V: 2,5.5,5 V|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Виробник: Everlight. Vceo, V: 30 V|Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm|Спектр пік., nm: 940 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Ton|Tof, µc : 15|15 µc|Тип пристрою:...

Примітка: Частота: 36 кГц. Виробник: Vishay. Vceo, V: 4,5.5,5 V|Тип пристрою: Фотоприймач

• Osram

Примітка: Vceo,V: 50 V|Спектр0.5,nm: 750-1100 nm|Спектр_пік.,nm: 900 nm|Ton/Tof,µc: 0,005/0,005 µc|Додатково: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5...

Примітка: фотодіод. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm|Спектр пік., nm: 850 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Ton|Tof, µc : 0,005|0,005...

Примітка: Фотодіод 34 °. Виробник: Siemens.|Спектр пік., nm: 900 nm|Тип пристрою: Фотодіод

Примітка: Частота: 36 кГц. Виробник: Vishay.|Тип пристрою: Фотоприймач

• Vishay

Примітка: Виробник: Vishay|Vceo,V: 60 V|Спектр0.5,nm: 870-1050 nm|Спектр_пік.,nm: 950 nm|Ton/Tof,µc: 0,1/0,1 µc|Додатково: Фотодіод, чорний, прямоуг....

Примітка: Виробник: Vishay|Vceo,V: 70 V|Спектр0.5,nm: 900-980 nm|Спектр_пік.,nm: 930 nm|Ic,mA: 50 mA|Ton/Tof,µc : 6/5 µc|Додатково: Фототранзистор,...

Примітка: Частота: 38 кГц. Виробник: Vishay. Vceo, V: 2,5.5,5 V|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Фотодіод, чорна лінза, 5 мм. Виробник: Siemens. Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 800-1100 nm|Спектр пік., nm: 900 nm|Ton|Tof, µc : 0,005|0,005...

Примітка: фототранзистор. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 35 V|Спектр 0.5, nm: 380-1150 nm|Спектр пік., nm: 860 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Тип пристрою:...