Фотоелектричні напівпровідники для електронних компонентів

Примітка: SMD 1.5x3.2 mm. Виробник: Everlight. Vceo, V: 30 V|Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm|Спектр пік., nm: 940 nm|Ic, mA: 0,3 mA|Ton|Tof, µc : 15|15...

Примітка: Фототранзистор, прозора лінза, 3 мм. Виробник: Kingbright. Vceo, V: 30 V|Спектр пік., nm: 940 nm|Ic, mA: 0,6 mA|Ton|Tof, µc : 15|15 µc|Тип...

Примітка: Спектр_пік.,nm: 950 nm|Додатково: Кут 70 °, довжина хвилі 940nm|Тип: Фототранзистор

Примітка: Фотодіод. Виробник: G-Nor. Vceo, V: 5 V|Спектр 0.5, nm: 840-1200 nm|Спектр пік., nm: 980 nm|Ic, mA: 30 mA|Тип пристрою: Фотодіод

Примітка: Фоторезистор 3х1мм кутовий. Виробник: Kingbright.|Тип пристрою: Фотодіод

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 50. 160 кОм, Темновий опір 1.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V|Спектр пік., nm: 560 nm|Тип...

Примітка: Фототранзистор, 3мм, p макс:940нм, 30В, 20°, Лінза: чорна. Виробник: Lite-On. Vceo, V: 30 V|Спектр 0.5, nm: 940 nm|Ic, mA: 4,8 mA|Тип...

Примітка: Фототранзистор, синя лінза, 5 мм. Виробник: Kingbright. Vceo, V: 30 V|Спектр пік., nm: 940 nm|Ic, mA: 12 mA|Ton|Tof, µc : 3|3 µc|Тип...

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 16. 50 кОм, Темновий опір 2.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип...

• Kingbright

Примітка: Vceo,V: 30 V|Спектр_пік.,nm: 940 nm|Ic,mA: 12 mA|Ton/Tof,µc: 3/3 µc|Додатково: Фототранзистор, прозора лінза, 5 мм|Тип: Фототранзистор

Примітка: Потужність 90 мВт, Опір 5. 10 кОм, Темновий опір 0.2 МОм, Монтаж: THT,. Виробник: Token. Vceo, V: 100 V|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип...

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 8. 20 кОм, Темновий опір 1.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип...

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 5. 10 кОм, Темновий опір 1.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V|Спектр пік., nm: 560 nm|Тип...

Примітка: Фототранзистор, прозора лінза, 3 мм. Виробник: Vishay. Vceo, V: 70 V|Спектр 0.5, nm: 620-980 nm|Спектр пік., nm: 850 nm|Ic, mA: 4...

Примітка: Потужність 90 мВт, Опір 2. 6 кОм, Темновий опір 0.15 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token.|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: фототранзистор. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 35 V|Спектр 0.5, nm: 380-1150 nm|Спектр пік., nm: 860 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Тип пристрою:...

Примітка: Фотодіод, чорна лінза, 5 мм. Виробник: Siemens. Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 800-1100 nm|Спектр пік., nm: 900 nm|Ton|Tof, µc : 0,005|0,005...

Примітка: Потужність 100 мВт. Виробник: Vishay. Vceo, V: 70 V|Спектр 0.5, nm: 730-1000 nm|Спектр пік., nm: 880 nm|Ic, mA: 0,001 mA|Ton|Tof, µc :...

Примітка: Частота: 38 кГц. Виробник: Vishay. Vceo, V: 2,5.5,5 V|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: Частота: 36 кГц. Виробник: Vishay.|Тип пристрою: Фотоприймач

• Vishay

Примітка: Виробник: Vishay|Vceo,V: 60 V|Спектр0.5,nm: 870-1050 nm|Спектр_пік.,nm: 950 nm|Ton/Tof,µc: 0,1/0,1 µc|Додатково: Фотодіод, чорний, прямоуг....

Примітка: Виробник: Vishay|Vceo,V: 70 V|Спектр0.5,nm: 900-980 nm|Спектр_пік.,nm: 930 nm|Ic,mA: 50 mA|Ton/Tof,µc : 6/5 µc|Додатково: Фототранзистор,...

Примітка: Фотодіод, прозора лінза, 3 мм. Виробник: Siemens. Vceo, V: 20 V|Спектр 0.5, nm: 380-1100 nm|Спектр пік., nm: 860 nm|Ton|Tof, µc : 0,01|0,01...

Примітка: фотодіод. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm|Спектр пік., nm: 850 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Ton|Tof, µc : 0,005|0,005...