Фотоелектричні напівпровідники для електронних компонентів. Сторінка 4

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 8. 20 кОм, Темновий опір 1.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип...

Примітка: Потужність 90 мВт, Опір 5. 10 кОм, Темновий опір 0.2 МОм, Монтаж: THT,. Виробник: Token. Vceo, V: 100 V|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип...

Примітка: Потужність 90 мВт, Опір 2. 6 кОм, Темновий опір 0.15 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token.|Спектр пік., nm: 540 nm|Тип пристрою: Фотоприймач

Примітка: фототранзистор. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 35 V|Спектр 0.5, nm: 380-1150 nm|Спектр пік., nm: 860 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Тип пристрою:...

Примітка: фотодіод. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 50 V|Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm|Спектр пік., nm: 850 nm|Ic, mA: 0,01 mA|Ton|Tof, µc : 0,005|0,005...

Примітка: Потужність 100 мВт. Виробник: Vishay. Vceo, V: 70 V|Спектр 0.5, nm: 730-1000 nm|Спектр пік., nm: 880 nm|Ic, mA: 0,001 mA|Ton|Tof, µc :...