Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 217 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 75 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.05 | Час включення: 21ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 1600 V
• 30 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 94 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.35 | Час виключення: 525ns

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 165ns

• Біполярні NPN
• Не вказано
• THT
• TO-3
• 450 V
• 30 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 141 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 20ns | Час виключення: 250ns