Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• Польові P-канальні
• AOS
• SO8
• 2.3 V
• -12 А
• -10 А
• 8.5 мОм
• 12.7 мОм
• -1.7 ... -3 V

• AOS
• Польові N-канальні
• DFN-8(5x6)

• AOS
• Польові N-канальні
• 700 V
• DFN-8(5x6)

• AOS
• Польові N-канальні
• 400 V
• TO-220F-3

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• 60 V
• TO-252(DPAK)
• -55...+150°C
• 40 А

• Польові N-канальні
• AOS
• TO220F
• 7 А
• 5 A
• 0.54 Ом
• 3.3 V
• 2.6 ... 4.0 V
• 35 W

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• TO-252
• 60 V
• 12 A
• 115 mOhm
• 20 nC
• 20 V

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• SOT23-3
• 20 V
• 6.5 A
• 22 mOhm
• 16 nC
• 8 V

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• SO8
• 40 V
• 6 A
• 19 mOhm
• 12 nC
• 20 V

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• 8-DFN-EP(3x3)
• 80 V
• 50 A
• 8.5 mOhm
• 38 nC
• 20 V

• AOS
• Польові N-канальні
• SMD
• 8-DFN(5x6)
• 30 V
• 85 A
• 5.3 mOhm
• 40nC

• AOS
• Польові N-канальні

• IGBT
• AOS

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 102 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.72 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.77 | Час виключення: 115ns

• IGBT
• AOS
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 5 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 14 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час включення: 8.5ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 15 А
• 25 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 25.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 111 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 45 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 29ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 129ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 600 V
• 20 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 24.6 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 20ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 66 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час виключення: 156ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 180 А
• 166 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 35ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 128 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 73ns | Час...

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 9.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 27ns | Час...