Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 3

• ST
• IGBT
• SMD
• DPAK
• 1200 V
• 2 V
• 55
• 20 V
• 10 A

• 0.17 A
• 500 V
• ST
• SOT-23
• SMD
• Польові N-канальні

• 10..60
• 5 A
• 10 V
• 850 V
• 550 V
• ST
• TO-220
• Біполярні NPN+Di

• ST
• Інше

• 300
• 15 A
• 0.5 Вт
• 500 V
• 500 V
• 7 V
• ST
• Біполярні PNP

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 535 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 210 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 306 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 51ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 225 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 47ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 45 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 153 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 30 А
• 260 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 149 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 85 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 23ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 71 А
• 357 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 207 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 22ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 210 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 167 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 116 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 25ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 15.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 12ns | Час виключення: 86ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220AB
• 1200 V
• 30 А
• 283 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 53 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 26ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-3P
• 650 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 306 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 51ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 80 А
• 468 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 187 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 18ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 350 | Напруга колектор-база, В: 40

• Інше
• ST

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 500