Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• 7.8
• 60 В
• 20 В
• Vishay
• Інше

• On Semiconductor
• TSOP-6
• Інше
• 60 В
• 12 В
• 0.38 W
• SMD

Примітка: Тип каналу і конфігурація: 2N | Напруга пробою стік-витік 2 канал (Ubrdss2), В: 28: | Максимально допустима напруга затвор-витік 2 канал...

• On Semiconductor
• SO-8
• Інше
• 60 В
• 10 A
• 20 В
• 2 W
• SMD

Примітка: Тип каналу: N | Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом: 0.1: | Опір стік-витік при 4,5V (Rdson), Ом: 0.2

• Vishay
• HVMDIP
• Інше
• 60 В
• 8.8 A
• 20 В
• 1.3 W
• THT

Примітка: Тип каналу: N | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 1.1 | Повний заряд затвора, нКл: 12 | Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом:...

• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• Інше
• 60 В
• 16 В
• 29 W
• 6 нс
• 15 нс

Примітка: Тип каналу: N: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 25 | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 17 | Повний заряд...

• Texas Instruments
• VSON-8
• Інше
• 60 В
• 20 В
• 267 A
• 3.2 W
• SMD

Примітка: Тип каналу: N: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 190 | Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id), А: 130 | Повний заряд...

• Nexperia
• SOT-23
• Інше
• 60 В
• 0.76 A
• 20 В
• 0.265 W
• SMD

Примітка: Тип каналу: N: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 0.3 | Повний заряд затвору, нКл: 0.33 | Опір стік-витік при 10V (Rdson),...

• Texas Instruments
• TO-220
• Інше
• 60 В
• 20 В
• 400 A
• 300 W
• THT

Примітка: Тип каналу: N: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 200 | Максимальний струм стік-витік при 100°С (Id), А: 197 | Повний заряд...

• Infineon
• TDSON-8
• 400 A
• Інше
• 60 В
• 20 В
• 83 W
• SMD

Примітка: Тип каналу: N: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 100 | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 83 | Повний заряд...

• Nexperia
• SOT-23
• Інше
• 60 В
• 20 В
• 0.83 W
• SMD

Примітка: Тип каналу: N | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 0.36 | Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом: 1.6

• Infineon
• Польові N-канальні
• 12 A
• 60 В
• 2,5 W
• 20 В
• 26

• Vishay
• Польові P-канальні
• 1,6 A
• 60 В
• 1,3 W
• 20 В
• 13 A
• 19

• Infineon
• Польові N-канальні
• 0,3 A
• 60 В
• 0,5 W
• 20 В
• 1,2 A
• 0,4

• Vishay
• Польові N-канальні
• 4,9 A
• 7,7 A
• 60 В
• 25 W
• 20 В
• 31 A
• 11

• Diodes Incorporated
• Польові P-канальні
• 0,45 A
• 60 В
• 20 В
• 4 A

• On Semiconductor
• Польові P-канальні
• 2 A
• 2,6 A
• 60 В
• 2,3 W
• 20 В
• 17 A
• 14,3

• Diodes Incorporated
• Польові N-канальні
• 0,15 A
• 60 В
• 0,33 W
• 20 В
• 3 A

• A&O
• Польові N-канальні
• 110 A
• 140 A
• 60 В
• 268 W
• 20 В
• 450 A
• 65

• Nxp
• Польові N-канальні
• 0,35 A
• 60 В
• 0,37 W
• 20 В
• 1,2 A

• Infineon
• Польові N-канальні
• 0,18 A
• 0,23 A
• 60 В
• 0,36 W
• 20 В
• 0,92 A
• 1,4

• A&O
• Польові N-канальні
• 9 A
• 12 A
• 60 В
• 20 W
• 20 В
• 30 A
• 7,5

• Vishay
• Польові N-канальні
• 2,3 A
• 60 В
• 1,66 W
• 20 В
• 8 A
• 2,3

• Nxp
• Польові N-канальні
• 0,3 A
• 60 В
• 0,83 W
• 20 В

• Vishay
• Польові P-канальні
• 1,6 A
• 60 В
• 1,7 W
• 20 В
• 8 A
• 2,7