Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• INFIN
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 800 V
• 20 В
• 6 A
• 900 mOhm
• 83 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.1V / 0.25mA | Ємність затвора: 785 pF / 100 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V

• INFIN
• DPAK
• SMD
• Польові N-канальні
• 800 V
• 20 В
• 6 A
• 900 mOhm
• 83 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.9V / 250µA | Ємність затвора: 785 pF / 100 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• DIODES
• SOT26
• SMD
• Польові P-канальні
• 20 V
• 12 В
• 6 A
• 35 mOhm
• 1.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.5V / 250µA | Ємність затвора: 2400 pF / 10 V | Заряд затвора: 23.1 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 37 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 2000 pF / 50 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 6 A
• 35 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 760 pF / 15 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V

• A&O
• Польові N-канальні
• 5 A
• 6 A
• 20 В
• 1,4 W
• 12 В
• 30 A
• 12,5

• Wayon
• Польові N-канальні
• 6 A
• 1000 В
• 65 W
• 30 В
• 24 A
• 40

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 3,8 A
• 6 A
• 600 В
• 110 W
• 30 В
• 24 A
• 33

• On Semiconductor
• Польові P-канальні
• 6 A
• 20 В
• 3 W
• 8 В
• 30 A

• On Semiconductor
• Польові P-канальні
• 6 A
• 12 В
• 1,6 W
• 8 В
• 20 A
• 18

• Infineon
• Польові N-канальні
• 4 A
• 6 A
• 650 В
• 30 W
• 20 В
• 16 A
• 9