Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Vces 1200 V

• ST Microelectronics
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 60 A
• 30 A
• 220 Вт
• 2.2 V
• є
• 275 нс
• 29 нс
• 152 н

Примітка: Повний заряд затвора, нКл: 110

• Ixys
• IGBT
• 1200 V
• 164 A
• 82 A
• 3,2 V
• 1040 Вт
• 215
• 320 А
• є
• 192 нс
• 29 нс
• 420 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 82 A
• 68 A
• 1,65 V
• 428 Вт
• 290
• є
• 170 нс
• 150 А
• 29 нс
• 165 н