Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Ic* 80 A

• 40 A
• 80 A
• 160 А
• 383 Вт
• 1.7 V
• ST Microelectronics
• 140 нс
• 141 нс
• TO-3P
• IGBT

Примітка: Single Retriggerable Monostable Multivibrator With Schmitt-Trigger Inputs

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 483 Вт
• 2.05 V
• ні
• 160 А
• 290 нс
• 30 нс

Примітка: Маркування: G40H1203 | Повний заряд затвора, нКл: 185

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,85 V
• 257 Вт
• 171
• 160 А
• є
• 174 нс
• 160 А
• 85 нс

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 2,05 V
• 483 Вт
• 185
• 160 А
• є
• 290 нс
• 160 А
• 30 нс
• 355 н

• On Semiconductor
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 2 V
• 260 Вт
• 415
• 160 А
• є
• 385 нс
• 160 А
• 130 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,95 V
• 306 Вт
• 223
• 160 А
• є
• 197 нс
• 160 А
• 19 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 1,95 V
• 306 Вт
• 223
• 160 А
• ні
• 197 нс
• 19 нс

• Magnachip
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 2 V
• 357 Вт
• 341
• 160 А
• є
• 308 нс
• 160 А
• 35 нс
• 100 н

• Silanmicro
• IGBT
• 1200 V
• 80 A
• 40 A
• 1,8 V
• 428 Вт
• 160 А
• є