Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 6

• Crmicro
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 273 A
• 3,1 mOhm
• 454 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.8V / 250µA | Ємність затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 80 A
• 6,8 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.2V / 250µA | Ємність затвора: 2626 pF / 50 V | Заряд затвора: 66.8 nC / 50 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 60 A
• 11,4 mOhm
• 227.3 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.2V / 250µA | Ємність затвора: 1618 pF / 50 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 207 A
• 3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.8V / 250µA | Ємність затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 4 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 6920 pF / 50 V | Заряд затвора: 117 nC / 10 V

• AOS
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 22 A
• 24 mOhm
• 2.1 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 1190 pF / 50 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 4,4 mOhm
• 326 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3.3V / 250µA | Ємність затвора: 7085 pF / 50 V | Заряд затвора: 135 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 37 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 2000 pF / 50 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 8 A
• 42 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 1200 pF / 50 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 4,2 A
• 79 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.7V / 250µA | Ємність затвора: 942 pF / 50 V | Заряд затвора: 20 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SO8
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 11,5 A
• 12 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.4V / 250µA | Ємність затвора: 2420 pF / 50 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 50 A
• 9 mOhm
• 4.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 2180 pF / 50 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 12,5 A
• 66 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.8V / 250µA | Ємність затвора: 415 pF / 50 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• 96 A
• 100 V
• Ir
• THT
• Польові N-канальні

• Jsmsemi
• TO-220
• 100 V
• 17 A
• 0,1 Ом
• THT
• Польові N-канальні

• Польові N-канальні
• Vbsemi
• D2PAK (TO-263)
• 100 V
• SMD
• 61 A

• Польові P-канальні
• SOT-223-3
• 100 V
• SMD
• 0.69 A

• Польові P-канальні
• Vbsemi
• D2PAK
• 100 V
• 12 А

• Польові N-канальні
• Jsmicro
• TO-220AB
• 100 V
• THT
• 60 A

• Польові N-канальні
• Siliconix
• TO-220
• 100 V
• THT
• 28 A

• Польові N-канальні
• Ir
• D2PAK (TO-263)
• 100 V
• SMD
• 55 A

• Польові P-канальні
• Vishay
• TO-220
• 100 V
• THT
• 4 A

• Польові P-канальні
• Ir
• D2PAK
• 100 V
• 23 A

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 100 V
• THT
• 57 A