Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Струм 6 А

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 125us

• IGBT
• Ir
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 39 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 19.5 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 27ns | Час...