Транзистори для електронних компонентів. Тип Польові P-канальні. Корпус SOIC-8

• INFIN
• SOIC-8
• SMD
• Польові P-канальні
• 20 V
• 12 В
• 5,4 A
• 60 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 700mV / 250µA (Min) | Ємність затвора: 780 pF / 15 V | Заряд затвора: 22 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 20 В
• 4,7 A
• 45 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.5V / 250µA | Ємність затвора: 495 pF / 15 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 12 В
• 5 A
• 46 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.3V / 250µA | Ємність затвора: 1128 pF / 15 V | Заряд затвора: 11.3 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Польові P-канальні
• 12 V
• 8 В
• 9 A
• 16 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1V / 250µA | Ємність затвора: 4750 pF / 6 V | Заряд затвора: 47 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...