Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 8

• Fairchild
• TO-220
• IGBT + Diode
• 1200 V
• 10 А
• 21 А
• 20 V
• 50 нс (тип)
• 167 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Crmicro
• TO-220
• Польові N-канальні
• 200 V
• 30 V
• 50 А
• 38.5 А
• 2 ... 4 V
• 240 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• CET
• TO-220
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 V
• 100 А
• 4.2 мОм
• 6 мОм
• 1 ... 3 V
• 100 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Alpha&Omega
• TO-220
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 V
• 15 А
• 10 А
• 2.5 ... 3.8 V
• 3.2 V
• 208 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• AGM-Semi
• TO-220
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 V
• 130 А
• 82 А
• 3 мОм
• 3.5 мОм
• 1.1 ... 2.1 V
• 1.5 V
• 105 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• AGM-Semi
• TO-220
• Польові N-канальні
• 150 V
• 25 V
• 52 А
• 27 А
• 2.5 ... 4 V
• 3 V
• 125 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• AGM-Semi
• TO-220
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 V
• 100 А
• 63 А
• 6.2 мОм
• 8 мОм
• 1.2 ... 2.5 V
• 1.6 V
• 128 W

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• 160 A
• 6590/110
• 40 V
• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні

• 12 A
• 104 W
• 1.65 V
• 600 V
• Vbsemi
• TO-220
• IGBT

• 11 A
• 50
• 800 V
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні

• 5 A
• 12
• 600 V
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні

• Біполярні PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 132 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 1200 V
• 150 А
• 880 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 530 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 34ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 42 А
• 125 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 48 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 18ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 15 А
• 130 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 17ns | Час виключення: 188ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 24 А
• 110 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 12ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напруга колектор-база, В: 800

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 22ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 16ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 120 V
• 8 А
• 40
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 120

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 19ns | Час виключення: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.45 | Час включення: 11ns | Час...