Транзистори для електронних компонентів. Корпус TO-247. Vce 650 V. Сторінка 3

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 54ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 180 А
• 166 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 35ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 198 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 28ns | Час...