Транзистори для електронних компонентів. Струм 40 А. Тип монтажу THT

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 40 А
• 280 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 42ns | Час...

• IGBT
• WEEN/NXP
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 125 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 173 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 95ns | Час...

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 230 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 60 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 6ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 40 А
• 136 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 128 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 16ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 22ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 40 А
• 152 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 193 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 30ns | Час...