Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Струм 80 А

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 280 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 38ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 188 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 90 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час виключення:...

• IGBT
• Crmicro
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 80 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 54ns | Час...

• IGBT
• Mcc
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 306 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 160 nC | Час включення: 12ns | Час виключення: 124ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 282 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 230 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 80 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 435 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 273 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 290 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 26ns | Час...