Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Бренд AOS

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.77 | Час виключення: 115ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 128 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 73ns | Час...