Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55…+175°C

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 60 А
• 190 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 132 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...