Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Струм 50 А

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 123 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 365 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 146 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 19ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 85 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 28ns | Час...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 102 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.72 | Час включення: 46ns | Час...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 50 А
• 230 W
• -55…+175°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 0.25us | Час виключення: 0.37us

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 1100 V
• 50 А
• 300 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 195 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.6 | Час включення: 24ns | Час...