Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55…+175°C

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 267 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 35 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 16ns | Час...