Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Корпус TO-220F

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V

• MDD
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 10 A
• 1 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 142.2 pF / 25 V | Заряд затвора: 34.2 nC / 10 V

• FUJI
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 800 V
• 20 В
• 3 A
• 4 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 10mA | Ємність затвора: 1400 pF / 25 V

• Fair
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 800 V
• 30 В
• 2,3 A
• 3,5 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 1mA | Ємність затвора: 1457 pF / 25 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V