Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Корпус TO-247

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 380 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 100 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 88ns | Час...