Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55...+150°C

• IGBT
• Ir
• THT
• TO-247
• 500 V
• 59 А
• 200 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 33ns | Час...