Транзистори для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -55...+150°C

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• DPAK-3
• 600 V
• 6 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12.5 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• SMD
• TO-252
• 360 V
• 30 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 23 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 20ns | Час виключення: 40ns