Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 9

Примітка: Опис: Високоточний модуль атмосферного тиску. Діапазон вимірювання тиску: 30...1250 kPa. Наднизький рівень шуму та споживання струму: 0.1...

Примітка: Корпус: 18,3 мм | Опис: Резистивний датчик деформації (тиску). Опір резистивного датчика тиску змінюється залежно від прикладеної сили....

Примітка: Бренд:: VISHAY | Тип корпусу:: DO-214AA | Монтаж:: SMD | Полярність:: Unidirectional | Робоча напруга , Вольт:: 16 | Кількість каналів:: 1...

Примітка: Бренд:: ONS | Тип корпусу:: SOD-523-2 | Монтаж:: SMD | Полярність:: Bidirectional | Робоча напруга , Вольт:: 5 | Кількість каналів:: 1 |...

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor

• Датчик тиску

• Датчик рівня

Примітка: Бренд: KLS | Конфігурація контактів: SPTS | Струм: 2.5 | Матеріал: Нержавіюча сталь | Комутована потужність: 50 Вт | Макс. робоча напруга ,...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 286 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 176 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 19ns | Час...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 75

• Біполярні NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 400

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Польові N-канальні
• 150 V
• 25 В
• 70 A
• 28 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 5400 pF / 25 V | Заряд затвора: 175 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.3V / 250µA | Ємність затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• SMD
• Польові N-канальні
• 82 V
• 20 В
• 140 A
• 6 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 7900 pF / 40 V | Заряд затвора: 158 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Huayi
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 160 A
• 4,5 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 2506 pF / 25 V | Заряд затвора: 119 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• 25 A
• 50 mA
• 800 V
• Umw
• TO-220AB

• Супершвидкі

• Інше

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Інше
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примітка: Тип каналу: N: | Максимальний струм стік-витік при 25°С (Id), А: 6.3 | Повний заряд затвора, нКл: 9 | Опір стік-витік при 10V (Rdson), Ом:...

• THT
• 5.1

• Yangjie
• GBP
• Однофазний
• THT

Примітка: Середній випрямлений струм (If(av)), А: 3 | Пікова зворотна напруга, що повторюється (Urrm), В: 1000 | Габаритні розміри (LxWxH), мм:...

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Польові P-канальні