Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 404

• Yj
• DO-41
• THT
• 3.3
• 80 mA
• 1 W

• Yj
• DO-41
• THT
• 5.1
• 45 mA
• 1 W

• Yj
• DO-201
• THT
• 12
• 100 mA
• 5 W

• Польові N-канальні
• Fairchild
• TO-220
• 600 V
• THT
• 7.0 А
• 1380

• Супершвидкі

Примітка: Виробник: Yangjie/Корпус: SOD-80 (MiniMELF) | Vrr, V: 200 V | Iav, A: 0,25 A | Час зворотного відновлення Trr, ns: 50 ns | Монтаж: SMD

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: YJ/Корпус: SMB (DO-214AA) | Пікова потужність: 500 W | Напруга пробоя, Vbr: 28,1 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 24 V | Струм...

• Випрямні та імпульсні

Примітка: Випрямний. Виробник: MIC/Корпус: DO-214AA | Uобр., V (RRM): 1000 V | Iвипр., A (If): 2.0 А | Монтаж: SMD | Падіння напруги Vf: 1,3 V

• JFDio
• GBJ
• 1000 V
• 20 A
• Однофазний
• 350 A
• THT

• Шотткі

Примітка: Виробник: Infineon/Корпус: SOD-323 | Зворотна напруга, Vrrm: 10 V | Прямий струм (per leg), If: 0,125 | Падіння напруги, Vf: 0,6 V |...

• Біполярні NPN
• SOT-23
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• SMD

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: Vishay/Корпус: SMB (DO-214AA) | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробоя, Vbr: 14 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 12 V |...

• Good Display
• 2,402...2,480 ГГц
• 3,0...3,6 V
• UART
• SDIO
• SPI
• Bluetooth

• Ebyte
• 40,3x25 мм.
• 410...441 МГц
• 3,3...5,2 V
• IPX
• UART
• RF
• -40...+85°C

Примітка: Бездротовий SMD приймач 433MHz на базі SX1278. Підтримує протокол: LoRa. Підтримує шифрування та стиснення даних. Потужність передавача:...

• Датчик положення
• Аналоговий

Примітка: Трубчастий герконовий датчик відкриття дверей, вікна. Магнітний, для сигналізації. Робоча відстань: 18мм. Довжина: 55мм. Виробник: KLS |...

• Біполярні NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 100 MHz
• 25 V
• 40 V
• 1.5 A
• 350
• SMD

• Біполярні PNP
• Yangjie
• SOT-23
• 150 MHz
• 25 V
• 40 V
• 0.5 A
• 350

• Hope RF
• 24x14x1,95 мм.
• 2400...2500 МГц
• 1,8...3,7 V
• SPI
• RF
• -40...+85°C

Примітка: Rx чутливість: -132dBm 1 Kbps 2.4GHz.

• On
• TO-220AB
• 600 V
• 35 mA
• 16 A

• Yj
• DB-1 (DIL (8.3x6.4)), DIP
• 1000 V
• 1,0 А
• Однофазний
• 50 A
• THT

Примітка: Може замінити: DB101, DB102, DB103, DB104, DB105, DB106, DB101G, DB102G, DB103G, DB104G, DB105G, DB106G, DB107G, DF005M, DF01M, DF02M,...

• Біполярні PNP
• Fairchild
• TO-92
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.8 A
• 450

• KLS
• DIP
• 32
• Цангова

Примітка: крок 2.54, ширина: 15.24 мм.

Примітка: Фототранзистор, 3мм, p макс:940нм, 30В, 20°, Лінза: чорна. Виробник: Lite-On. Vceo, V: 30 V | Спектр 0.5, nm: 940 nm | Ic, mA: 4,8 mA | Тип...

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: Vishay/Корпус: DO-15 | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробоя, Vbr: 33 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 28,2 V | Струм...

• Guerte
• 80x40x32 мм
• 1600 V
• 50 A
• Діодне складання
• 600 A
• THT