Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 391

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-251
• 55 V
• THT
• 17 A
• 370

• Біполярні NPN
• On
• TO-247
• 200 V
• 200 V
• 15 A
• THT

• Випрямні та імпульсні

Примітка: Виробник: YJ/Корпус: SMA | Uобр., V (RRM): 700 V | Iвипр., A (If): 2.0 А | Монтаж: SMD | Падіння напруги Vf: 1,1 V

• Шотткі

Примітка: Виробник: IR | ON. Корпус: TO-220AC | Зворотна напруга, Vrrm: 45 V | Прямий струм (per leg), If: 16 A | Падіння напруги, Vf: 0,57 V |...

• Польові N-канальні
• TO-220
• 800 V
• THT
• 11.0 А
• 1600

• Біполярні NPN
• TO-220
• 850 V
• 5.0 А

• Біполярні PNP
• Hitachi
• TO-92MOD
• 150 MHz
• 120 V
• 120 V
• 0.05 A

• Випрямні та імпульсні

Примітка: Випрямний/Корпус: SMA | DO-214AC | Uобр., V (RRM): 1000 V | Iвипр., A (If): 1.0 А | Монтаж: SMD | Падіння напруги Vf: 1,1 V

Примітка: Фототранзистор. Виробник: Vishay. Vceo, V: 5 V | Спектр 0.5, nm: 730-1000 nm | Спектр пік., nm: 950 nm | Тип пристрою: Фототранзистор

• Hope RF
• 33x18x2,2 мм.
• 2400...2483,5 МГц
• 1,9...3,6 V
• SPI
• RF
• -40...+85°C
• Приймач

Примітка: Вихідна потужність -5...+20дБ. | 2400-2483,5 МГц, інтерфейс SPI, 250 кбіт

• Hope RF
• 32x11x5 мм.
• 433 МГц
• 1,8...3,6 V
• SPI
• RF
• -40...+85°C
• Приймач

Примітка: Приймач, 433МГц, інтерфейс SPI, 0.1...40кбіт

• Hope RF
• 16x16x5 мм.
• 433 МГц
• 1,8...3,6 V
• Цифровий
• RF
• -40...+85°C
• Передавач

Примітка: Передавач, 433МГц (налаштування від 240-960МГц), вихідна потужність -10...+13 дБ.

• Nxp
• TO-92
• 600 V
• 0,2 mA
• 0,8 A

• Польові N-канальні
• ST
• TO-220FP
• 500 V
• THT
• 7.2 A
• 910

• IGBT

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 5. 10 кОм, Темновий опір 1.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V | Спектр пік., nm: 560 nm | Тип...

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 50. 160 кОм, Темновий опір 1.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V | Спектр пік., nm: 560 nm | Тип...

Примітка: Потужність 100 мВт, Опір 16. 50 кОм, Темновий опір 2.0 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. Vceo, V: 150 V | Спектр пік., nm: 540 nm | Тип...

Примітка: Потужність 90 мВт, Опір 5. 10 кОм, Темновий опір 0.2 МОм, Монтаж: THT,. Виробник: Token. Vceo, V: 100 V | Спектр пік., nm: 540 nm | Тип...

Примітка: Потужність 90 мВт, Опір 2. 6 кОм, Темновий опір 0.15 МОм, Монтаж: THT. Виробник: Token. | Спектр пік., nm: 540 nm | Тип пристрою:...

Примітка: фототранзистор. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 35 V | Спектр 0.5, nm: 380-1150 nm | Спектр пік., nm: 860 nm | Ic, mA: 0,01 mA | Тип пристрою:...

Примітка: фотодіод. Виробник: OSRAM. Vceo, V: 50 V | Спектр 0.5, nm: 400-1100 nm | Спектр пік., nm: 850 nm | Ic, mA: 0,01 mA | Ton | Tof, µc : 0,005...

• Біполярні NPN
• Toshiba
• TO-3P
• 30 MHz
• 230 V
• 230 V
• 15 A
• 160
• THT