Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 275

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 294 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 109 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Час включення: 64ns | Час виключення: 128ns

• Біполярні PNP
• ZTX
• SMD
• SOT223
• 500 V
• 0,15 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• Magnachip
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 535 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 42ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1350 V
• 80 А
• 394 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 234 nC | Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час виключення: 250ns

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 500

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 1200 V
• 15 А
• 110 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 85 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 50ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-343-4
• 4 V
• 0,025 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 1.2 | Напруга колектор-база, В: 13

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 1200 V
• 0,2 А
• 3
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 400 V
• 1,5 А
• 35
• -65…+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 700

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 165 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 63 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 13ns | Час виключення:...

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 24ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 174 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 119 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 12ns | Час...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 290 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 25ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 250 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 650 V
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 57 nC | Час включення: 20.5ns | Час виключення: 96ns

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TOP-3FP
• 600 V
• 80 А
• 115 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 119 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.9 | Час включення: 12ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 334 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 60ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 60 V
• 15 А
• 15
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.1 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220FP
• 600 V
• 30 А
• 30 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 81 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 24.5ns | Час...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 0,5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• TSOP6
• 40 V
• 4 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-247
• 350 V
• 10 А
• 150 W
• 150

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6