Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 269

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 190 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 115 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 100 А
• 350 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 125 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 85ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 40 А
• 417 W
• -40…+150°C

Примітка: Заряд затвора: 250 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 85ns | Час...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 180 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 40ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 500

• ВЧ
• Nxp

• Інше
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• SOT723
• 11 V
• 0,05 А
• 180
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 11

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 40 V
• 1 А
• -65…+200°C

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 60 V
• 1 А
• 40
• -65…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 40 V
• 1 А
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 300 V
• 1 А
• 120
• …+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Напруга колектор-база, В: 350

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 140 А
• 714 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 625 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 30ns | Час виключення: 265ns

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 455 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 123 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 28ns | Час...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3FORM
• 140 V
• 0,6 А
• 250
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 160

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 140 А
• 428 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 470 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.85 | Час включення: 31ns | Час...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 150 А
• 375 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 578 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.69 | Час включення: 32ns | Час...

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 5 А
• 350
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.35 | Напруга колектор-база, В: 60

• Інше
• ST

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 180 А
• 166 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 84 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 35ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208,3 W
• …+150°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 54ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 138 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3PFM
• 600 V
• 60 А
• …+150°C

Примітка: Час включення: 45ns | Час виключення: 70ns