Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 26

• Toshiba
• Біполярні NPN
• 10 A
• 100 Вт
• 140 V
• 140 V
• 5 V
• 30 МГц
• 55..160

• Vishay
• Польові N-канальні
• 2,6 A
• 20 В
• 0,71 W
• 8 В
• 10 A
• 3,5

• Toohong
• Польові N-канальні
• 12 A
• 20 A
• 600 В
• 50 W
• 30 В
• 80 A
• 61

• Vishay
• Польові N-канальні
• 10 A
• 400 В
• 125 W
• 30 В
• 40 A
• 36

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 0,6 A
• 0,3 Вт
• 40 V
• 60 V
• 6 V
• 250 МГц
• 40..500

• Ncepower
• Польові N-канальні
• 126 A
• 180 A
• 60 В
• 220 W
• 20 В
• 720 A
• 70

• Infineon
• Польові N-канальні
• 409 A
• 40 В
• 375 W
• 20 В
• 300

• Diotec
• Біполярні NPN
• 0,1 A
• 0,5 Вт
• 30 V
• 30 V
• 5 V
• 300 МГц
• 420..800

• Ixys
• IGBT
• 600 V
• 75 A
• 60 A
• 2,5 V
• 380 Вт
• 115
• 300 А
• є
• 70 нс
• 21 нс
• 100 н

• A&O
• Польові P-канальні
• 4 A
• 5 A
• 20 В
• 1,5 W
• 8 В
• 30 A
• 11

• NEC
• Біполярні PNP
• 0,15 A
• 0,3 Вт
• 500 V
• 500 V
• 6 V
• 50 МГц
• 80..300

• Infineon
• Біполярні NPN
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 170 МГц
• 70

• Infineon
• IGBT
• 1600 V
• 60 A
• 39 A
• 1,85 V
• 263 Вт
• 205
• 90 А
• є
• 290 нс
• 90 А

• Hooyi
• Польові N-канальні
• 66 A
• 80 A
• 68 В
• 115 W
• 25 В
• 320 A
• 84

• On Semiconductor
• Інше
• 0,225 W

• Infineon
• Польові P-канальні
• 74 A
• 55 В
• 200 W
• 20 В
• 180

• NEC
• Біполярні NPN
• 0,15 A
• 0,3 Вт
• 500 V
• 500 V
• 6 V
• 35 МГц
• 100

• A&O
• Польові N-канальні
• 11,5 A
• 18 A
• 30 В
• 11 W
• 20 В
• 64 A
• 8,6

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 12 A
• 18 A
• 650 В
• 30 W
• 25 В
• 72 A
• 29

• Diotec
• Польові N-канальні
• 35 A
• 50 A
• 60 В
• 85 W
• 20 В
• 90 A
• 50

• Infineon
• Польові N-канальні
• 62 A
• 30 В
• 65 W
• 20 В
• 7,6

• Infineon
• Польові N-канальні
• 123 A
• 40 В
• 99 W
• 20 В
• 62

• IGBT

Примітка: Виробник: ST | Корпус: SMB (DO-214AA) | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробою, Vbr: 36 V | Постійна зворотня напруга, Vrm: 30,8 V |...