Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 256

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 60 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 0,06 А
• 130
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 4 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.8 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 282 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 230 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.55 | Час виключення: 106ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 40 А
• 136 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 128 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 16ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 80 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 435 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 28ns | Час...

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.36 | Напруга колектор-база, В: 15

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.42 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• Samsung
• THT
• TO-92-3FORM
• 50 V
• 0,05 А
• -55...+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23-6
• 50 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.225 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 140 V
• 0,6 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 160

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 170

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 268 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 99 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 800 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 1100

• Біполярні NPN
• ONS
• SMD
• SOT23
• 25 V
• 0,8 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT363
• 45 V
• 0,1 А
• -55...+150°C

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 30

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 333 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 265 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.3 | Час включення: 29ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 76 А
• 230,8 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 235 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 20ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 273 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 290 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 26ns | Час...

• Біполярні PNP
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,1 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT-23
• 100 V
• 3 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.135 | Напруга колектор-база, В: 130