Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 227

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 19ns | Час виключення: 160ns

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 7,5 А
• 38 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 12 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.45 | Час включення: 11ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 255 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 95 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 19ns | Час виключення:...

• Біполярні NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Інше
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 65 V
• 0,1 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 80

• Інше
• Cdil

• Біполярні NPN
• CS
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 20
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.75 | Напруга колектор-база, В: 450

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• Ixys
• THT
• TO-247
• 650 V
• 160 А
• 625 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1 | Час включення: 125ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 600 V
• 160 А
• 833 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 772 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 46ns | Час...

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-225
• 300 V
• 0,5 А
• 240
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 40 V
• 0,2 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 120 V
• 1 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 140

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 6 А
• 30
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 150 V
• 1 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 170

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 60 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT223
• 12 V
• 0,06 А
• 130
• -40…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 24

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 80 V
• 4 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.8 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 53 А
• 200 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 130 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.6 | Час включення: 15ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 282 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 230 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.4 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.55 | Час виключення: 106ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 40 А
• 136 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 128 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.35 | Час включення: 16ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 650 V
• 80 А
• 333 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 435 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.65 | Час включення: 28ns | Час...