Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 216

• Ninigi
• DIP
• 24
• Стандартні

• Біполярні NPN
• ST
• SOT-32 (TO-126)
• 100 V
• 100 V
• 4.0 А
• 750
• THT

• Супершвидкі

Примітка: Виробник: MIC | YJ. Корпус: DO-15 | Vrr, V: 1000 V | Iav, A: 2.0 А | Час зворотного відновлення Trr, ns: 500 ns | Монтаж: THT

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-247
• 75 V
• THT
• 120 A
• 9400

• Nxp
• SOT-23
• SMD
• 13
• 5 mA
• 0,4 W
• 9.4 mV/K

• Обмежувальні

Примітка: Корпус: DO-15 | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробоя, Vbr: 39 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 33,3 V | Струм витоку, Irm: 1 µA |...

• Vishay
• TO-247
• 1200 V
• 150 mA
• 35 A

• Шотткі

Примітка: Виробник: ON/Корпус: TO-220 | Зворотна напруга, Vrrm: 200 V | Прямий струм (per leg), If: 2.0 А | Конструкція: два діоди в одному корпусі,...

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: YJ/Корпус: DO-15 | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробоя, Vbr: 400 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 342 V | Струм витоку,...

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: YJ/Корпус: DO-15 | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробоя, Vbr: 15 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 12,8 V | Струм витоку,...

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: Vishay | KUU. Корпус: SMB (DO-214AA) | Пікова потужність: 600 W | Напруга пробоя, Vbr: 40,0.44,2 V | Конструкція діода:...

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: ST | Корпус: DO-201 | Пікова потужність: 1500 W | Напруга пробоя, Vbr: 350 V | Постійна зворотна напруга, Vrm: 300 V | Струм...

• Nxp
• DO-35
• THT
• 18
• 5 mA
• 0,4 W
• 14.4 mV/K

• Біполярні PNP
• ST
• TO-220
• 3 MHz
• 100 V
• 100 V
• 15 A
• 250

• Біполярні PNP
• NEC
• TO-126
• 80 MHz
• 30 V
• 40 V
• 0.125
• 400

• Супершвидкі

Примітка: Корпус: SOD-80 | Vrr, V: 100 V | Iav, A: 0,2 A | Монтаж: SMD

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-247
• 200 V
• THT
• 20 A
• 1300

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 75 V
• THT
• 130 A
• 5600

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220AB
• 55 V
• THT
• 89 A
• 3600

• IGBT
• Ir
• TO-247AC
• 1200 V
• 2.74 V
• 30 A
• 15 A
• 160 W

• Nxp
• DO-35
• THT
• 24
• 5 mA
• 0,4 W
• 19.6 mV/K

• Nxp
• DO-35
• THT
• 15
• 5 mA
• 0,4 W
• 11.4 mV/K

• Nxp
• DO-35
• THT
• 10
• 5 mA
• 0,4 W
• 6.4 mV/K

• Nxp
• DO-41
• THT
• 9.1
• 25 mA
• 1 W
• 3.8 to 7.2 mV/K