Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 21

• IGBT
• ST

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 45 V
• 0,5 А
• 400
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,5 А
• 20000
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 30

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 300 V
• 0,5 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 32 V
• 0,1 А
• 460
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 32

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 60
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-39
• 50 V
• 0,8 А
• 325
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 75

• Не вказано
• SOT-23
• SMD
• Польові N-канальні
• 60 V
• 20 В
• 320mA A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.3V / 250µA | Ємність затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові P-канальні
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 90 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 119 pF / 50 V | Заряд затвора: 20.1 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 100 V
• 20 В
• 45 A
• 17 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 3V / 250µA | Ємність затвора: 399 pF / 50 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Польові P-канальні
• 40 V
• 20 В
• 4,4 A
• 77 mOhm
• 1.25 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 595 pF / 20 V | Заряд затвора: 21 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Польові N-канальні
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг затвора: 1,8V / 4,5V

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V

• Umw

• Umw

• TOS
• TO-220FP
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,25 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 1mA | Ємність затвора: 800 pF / 25 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг затвора:...

• TOS
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 500 V
• 30 В
• 12 A
• 520 mOhm
• 45 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 1mA | Ємність затвора: 1350 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST
• DPAK
• SMD
• Польові N-канальні
• 525 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 50µA | Ємність затвора: 529 pF / 25 V | Заряд затвора: 16.9 nC / 10 V

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 250µA | Ємність затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 600 V
• 30 В
• 5 A
• 2,15 Ohm
• 40 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 62.7 pF / 25 V | Заряд затвора: 9.27 nC / 10 V