Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 194

• Супершвидкі

Примітка: Виробник: Philips/Корпус: SOD-87 | Vrr, V: 50 V | Iav, A: 2.0 А | Час зворотного відновлення Trr, ns: 25 ns | Монтаж: SMD

• Датчик температури
• Високовольтні

Примітка: Датчик температури, точність  ±1,5°C. Виробник: TI | Корпус: SOP-8 | Датчик температури, точність ±1,5°C | Вихід/інтерфейс: 2-Wire, I2C,...

• Nxp
• DO-35
• THT
• 10
• 5 mA
• 0,4 W
• 6.4 mV/K

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: Bourns/Корпус: SIP-3 | Напруга пробоя, Vbr: 290 V | Конструкція діода: Двонаправлений | Монтаж: THT

• Польові N-канальні
• Infineon
• TO-247AC
• 300 V
• THT
• 70 A
• 10774

• AptSemi
• 28,5х28,5х9,7 мм
• 1600 V
• 50 A
• Трифазний
• 500 A
• THT

• Yj
• D-34A (D-63, MB, SKBPC)
• 600 V
• 25 A
• Трифазний
• 400 A
• THT

• Yj
• D-34A (D-63, MB, SKBPC)
• 800 V
• 25 A
• Трифазний
• 400 A
• THT

• Yangjie
• D-34A (D-63, MB, SKBPC)
• 600 V
• 35 A
• Трифазний
• 400 A
• THT

• Біполярні NPN
• Nxp
• SOT-23
• 230 MHz
• 50 V
• 50 V
• SMD

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-220
• 200 V
• THT
• 18 A
• 1200

• IGBT
• Ir
• TO-247
• 600 V
• 1.28 V
• 70 A
• 41 A
• 200 W

• Шотткі

Примітка: Виробник: ON/Корпус: SMA (DO-214AC) | Зворотна напруга, Vrrm: 40 V | Прямий струм (per leg), If: 0,125 | Падіння напруги, Vf: 0,45 V |...

Примітка: Частота: 56 кГц. Виробник: Vishay. Vceo, V: 2,5.5,5 V | Тип пристрою: Фотоприймач

• EMBEE

Примітка: Налагоджувальна плата EMBEE-T призначена для відпрацювання технічного рішення на радіомодемах EMB-250-002CI-001, EMB-250-100CI-002 (003)....

• EMBEE
• 35x78x17 мм.
• 5 V
• -40...+85°C

Примітка: Радіомодем призначений для передпроектного обстеження об'єктів і може бути налаштований за допомогою Sniffer Embee як сніффер радіосигналу....

• Польові N-канальні
• TO-247AC
• 250 V
• THT
• 93 A
• 10880

• Hope RF
• 16x19,7 мм.
• 433 МГц
• 3,7 V
• SPI
• RF
• -40...+85°C
• Приймач

Примітка: Вихідна потужність 20 Дб

• Hope RF
• 16х19,7 мм.
• 433 МГц
• 3,7 V
• SPI
• RF
• -40...+85°C
• Приймач

Примітка: 150 кбіт

• Hope RF
• 19,7x16x4,9 мм.
• 868 МГц
• 3,7 V
• SPI
• RF
• -40...+85°C
• Приймач

Примітка: Вихідна потужність +12,5 дБ. | 200 кбіт

• Польові N-канальні
• Ir
• TO-247
• 40 V
• THT
• 350 A
• 8920

• Шотткі

Примітка: Виробник: NXP | Diodes. Корпус: SOT-23 | Зворотна напруга, Vrrm: 30 V | Прямий струм (per leg), If: 0,2 A | Падіння напруги, Vf: 0,8 V |...

• Шотткі

Примітка: Корпус: DO-41 | Зворотна напруга, Vrrm: 60 V | Прямий струм (per leg), If: 1.0 А