Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 179

• 160 А
• 100 A
• 160 А
• 480 Вт
• 1,75 V
• 1200 V
• Infineon
• 33 нс
• 314 нс
• є
• IGBT

• 450
• 600
• ST
• 1500
• 50
• 40
• 25
• 90
• 50
• 4
• 1.6
• TYNxx25
• 14
• 16
• 300

• 420..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Біполярні NPN
• 150 МГц

• Шотткі

• 110..450
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 80 V
• 65 V
• 6 V
• Nexperia
• Біполярні NPN
• 100 МГц

• Шотткі

• Випрямні та імпульсні

• Інше

Примітка: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В 1000 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А 3 | Прямое падение напряжения (Uf), В...

• Інше

Примітка: Напруга пробою (VBR), 6.45 | Максимальна імпульсна потужність (PPPM), Вт 1500 | Полярність uni | Максимальний імпульсний струм діода (IFm),...

• Шотткі

• Інше

• Інше

• Шотткі

Примітка: Пікова зворотна напруга, що повторюється (Urrm), В 30 | Максимальний середній струм діода(If(av)), А 0.2 | Пряме падіння напруги (Uf), 1 |...

• Інше

• 250
• 0.5 A
• 0.625 Вт
• 180 V
• 160 V
• 6 V
• Diotec
• Біполярні NPN
• 300 МГц

• Обмежувальні

Примітка: Напруга пробою (VBR), 82 | Максимальна імпульсна потужність (PPPM), Вт 600 | Полярність bi | Максимальний імпульсний струм діода (IFm), А...

• Шотткі

Примітка: Пікова зворотна напруга, що повторюється (Urrm), В 40 | Максимальний середній струм діода(If(av)), А 5 | Пряме падіння напруги (Uf), 0.5 |...

• 1 Вт
• Nexperia
• 5 %
• 3.3
• 1N4728A-1N4749A
• 10 Ом
• THT

• 0,225 W
• On Semiconductor
• Інше

• Шотткі

• Шотткі

• Шотткі