Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 15

• Супершвидкі

Примітка: Тип монтування: THT | Пікова зворотня напруга (Urrm): 1000 | Максимальний середній струм діода (If(av)), А: 2.9 | Час відновлення (trr),...

• Обмежувальні

Примітка: Полярність: двонаправлений | Напруга пробою (VBR), В: 33 | Максимальна імпульсна потужність (PPPM), Вт: 400

• Шотткі

Примітка: Пікова зворотня напруга (Urrm): 40 | Максимальний середній струм діода (If(av)), А: 15 | Пряме падіння напруги (Uf), В: 0.27 | Кількість...

• Випрямні та імпульсні

Примітка: Пікова зворотня напруга (Urrm): 800 | Максимальний середній струм діода (If(av)), А: 2 | Пряме падіння напруги (Uf), В: 1.1 | Кількість...

• Шотткі

Примітка: Пікова зворотня напруга (Urrm): 100 | Максимальний середній струм діода (If(av)), А: 3 | Пряме падіння напруги (Uf), В: 0.79 | Кількість...

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 12 A
• 17 A
• 30 В
• 30 W
• 16 В
• 68 A
• 4,8

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 0,1 A
• 0,225 Вт
• 45 V
• 50 V
• 6 V
• 100 МГц
• 200..450

• Infineon
• Польові N-канальні
• 60 A
• 55 В
• 110 W
• 16 В
• 23

• Toshiba
• Польові N-канальні
• 100 A
• 100 В
• 255 W
• 20 В
• 434 A
• 140

• Infineon
• Польові P-канальні
• 3,7 A
• 4,6 A
• 30 В
• 2,5 W
• 20 В
• 15 A
• 27

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 3,16 A
• 5 A
• 600 В
• 25 W
• 30 В
• 20 A
• 26

• A&O
• Польові N-канальні
• 23 A
• 30 A
• 30 В
• 25 W
• 25 В
• 100 A
• 13,5

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 2,2 V
• 321 Вт
• 179
• 180 А
• є
• 193 нс
• 36 нс
• 38 н

• Infineon
• IGBT
• 1200 V
• 30 A
• 15 A
• 1,48 V
• 254 Вт
• 165
• 45 А
• є
• 300 нс
• 45 А
• 370 нс

• A&O
• Польові P-канальні
• 3,2 A
• 4 A
• 30 В
• 1,4 W
• 12 В
• 27 A

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 1,5 A
• 12,5 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• 50 МГц
• 100..250

• Matsushita
• Біполярні PNP
• 1 A
• 1 Вт
• 50 V
• 60 V
• 5 V
• 200 МГц
• 85..340

• Cdil
• Біполярні PNP
• 1 A
• 0,8 Вт
• 80 V
• 80 V
• 5 V
• 200 МГц
• 40..250

• A&O
• Польові N-канальні
• 10,4 A
• 13 A
• 30 В
• 3,1 W
• 20 В
• 100 A
• 17

• On Semiconductor
• Польові N-канальні
• 42 A
• 40 В
• 33 W
• 20 В
• 100 A

• Toshiba
• Польові N-канальні
• 100 A
• 80 В
• 255 W
• 20 В
• 568 A
• 140

• Nxp
• Біполярні PNP
• 0,1 A
• 0,25 Вт
• 50 V
• 50 V
• 10 V
• 180 МГц
• 60

• NEC
• Польові N-канальні
• 0,15 A
• 100 В
• 0,25 W
• 20 В
• 0,6A

• Magnachip
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 60 A
• 1,85 V
• 428 Вт
• 95
• є
• 142 нс
• 200 А
• 42 нс
• 110 н