Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 15

• Vishay
• Польові N-канальні
• 0,19 A
• 0,3 A
• 60 В
• 0,35 W
• 20 В
• 0,4

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 7 A
• 28 A
• 1,95 V
• 24 Вт
• 46
• є
• 160 нс
• 28 А
• 30 нс
• 136 н

• Infineon
• Польові N-канальні
• 409 A
• 40 В
• 375 W
• 20 В
• 300

• Silanmicro
• IGBT
• 650 V
• 100 A
• 50 A
• 2,2 V
• 235 Вт
• 150 А
• є

• A&O
• Польові P-канальні
• 4 A
• 5 A
• 20 В
• 1,5 W
• 8 В
• 30 A
• 11

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,85 V
• 403 Вт
• 117
• 180 А
• є
• 152 нс
• 66 нс
• 80 н

• NEC
• Біполярні PNP
• 0,15 A
• 0,3 Вт
• 500 V
• 500 V
• 6 V
• 50 МГц
• 80..300

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• є
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• Infineon
• Польові N-канальні
• 7,5 A
• 12,5 A
• 700 В
• 59,5 W
• 20 В
• 34 A
• 16,4

• Hooyi
• Польові N-канальні
• 66 A
• 80 A
• 68 В
• 115 W
• 25 В
• 320 A
• 84

• Trinnotech
• IGBT
• 1350 V
• 40 A
• 20 A
• 1,8 V
• 223 Вт
• 100 А
• є

• ST Microelectronics
• Польові N-канальні
• 12 A
• 18 A
• 650 В
• 30 W
• 25 В
• 72 A
• 29

• Обмежувальні

Примітка: Виробник: YJ | Корпус: DO-201 | Vrr, V: 1000 V | Iav, A: 3 A | Час зворотнього відновлення Trr, ns: 500 ns | Монтаж: THT

• Датчик температури

Примітка: Тип датчику: NTC дискретний | Діапазон виміру температури (Trange), °C: -55..+125 | Номінальний опір (Rt), Ом: 10000

• Датчик рівня

• Датчик положення

• 32,8x19 мм.
• 2402...2480 МГц
• 1,8...3,6 V
• UART
• Bluetooth
• -40...+80°C
• Трансівер

Примітка: Модуль Bluetooth 5.0. Сумісний з BLE4.0, BLE4.2. Інтерфейс: UART. Підтримка команд АТ. Вбудована антена. Чутливість приймача: -97dB....

• Інше

• Інше

• Інше

• Інше