Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Сторінка 12

Примітка: Бренд:: UMW | Монтаж:: THT | Тип корпусу:: TO-220 | Vr – Макс. зворотна напруга , Вольт:: 800 | Прямий струм , А:: 12 | Керуючий струм,...

Примітка: Бренд:: LTL | Тип корпусу:: SMB | Монтаж:: SMD | Полярність:: Unidirectional | Робоча напруга , Вольт:: 14 | Кількість каналів:: 1 |...

Примітка: Бренд:: ONS | Тип корпусу:: SOD-523-2 | Монтаж:: SMD | Полярність:: Bidirectional | Робоча напруга , Вольт:: 5 | Кількість каналів:: 1 |...

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Інше

• Датчик тиску

• Датчик тиску

• Датчик прискорення

Примітка: Бренд: ST | Тип корпусу: LGA-12 | Вісь виміру: XYZ | Прискорення: 2g, 4g, 6g, 8g, 16g | Робоча напруга , Вольт: 1.62-3.6

• Датчик тиску

Примітка: Бренд: NXP

• Датчик положення

Примітка: Бренд: HONEY | Тип виходу: Open Collector | Напруга живлення – макс.: 30 | Напруга живлення – мін.: 3.8 | Особливості: Bipolar | Тип...

• Датчик положення

Примітка: Бренд: HONEY | Тип виходу: Open Collector | Напруга живлення – макс.: 24 | Напруга живлення – мін.: 3 | Особливості: Unipolar | Тип...

• Датчик прискорення

Примітка: Бренд: BOSCH | Тип корпусу: LGA-14 | Вісь виміру: XYZ | Прискорення: 2g, 4g, 8g, 16g | Робоча напруга , Вольт: 1.2-3.6

• Датчик положення

Примітка: Бренд: AUTONICS

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 97 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 18ns | Час виключення:...

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 45 V
• 0,8 А
• 400
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• Hottech
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Не вказано
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 1000 V
• 30 В
• 5 A
• 4,2 Ohm
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4.5V / 100µA | Ємність затвора: 106 pF / 25 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V

• Vishay
• PPAK1212-8
• SMD
• Польові N-канальні
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 24 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.2V / 1mA | Ємність затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• ST
• TO-247
• THT
• Польові N-канальні
• 1500 V
• 30 В
• 1,3 A
• 9 Ohm
• 140 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 5V / 250µA | Ємність затвора: 939 pF / 25 V | Заряд затвора: 29.3 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Польові N-канальні
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 4V / 250µA | Ємність затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V