Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Тип IGBT. Корпус TO-247

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.77 | Час виключення: 115ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 17ns | Час...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 170 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 120 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.95 | Час включення: 17ns | Час виключення: 194ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 30 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 62 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час виключення: 129ns

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1350 V
• 20 А
• 170 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 66 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час виключення: 156ns