Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Температурний діапазон …+175°C. Тип монтажу SMD

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 125us

• Біполярні NPN
• MIT
• SMD
• T-31E
• 17 V
• 3,5 А
• 180
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга колектор-база, В: 35

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 20 V
• 10 В
• 30 A
• 8 mOhm
• 30 W
• …+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1V / 250µA | Ємність затвора: 305 pF / 10 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...