Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Тип IGBT. Температурний діапазон -40…+175°C

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 30 А
• 187 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 21ns | Час виключення: 207ns

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247-3
• 600 V
• 30 А
• 94 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 165 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.4 | Час включення: 21ns | Час...