Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Температурний діапазон -55...+150°C. Vce 65 V

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.65 | Напруга колектор-база, В: 80

• Інше
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 65 V
• 0,1 А
• 200
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 65 V
• 0,1 А
• 800
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 475
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 65 V
• 0,1 А
• 450
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• Diotec
• THT
• TO-92-3FORM
• 65 V
• 0,1 А
• 330
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 80