Активні електронні компоненти для електронних компонентів. Бренд DIODES. Температурний діапазон -55...+150°C

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 6 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.21 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 60 V
• 1 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 200 V
• 2 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 220

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 250

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 12 V
• 2,5 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.18 | Напруга колектор-база, В: 12

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 400