Пасивні електронні компоненти для електронних компонентів

• 10 мм.
• 300
• 385 V
• 470 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 210 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 65 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 775

• 10 мм.
• 210
• 275 V
• 330 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 300 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 40 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 550

• 10 мм.
• 250
• 320 V
• 390 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 260 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 47 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 650

• 10 мм.
• 95
• 125 V
• 150 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 670 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 22 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 250

• 10 мм.
• 75
• 100 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 830 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 18 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 200

• 10 мм.
• 60
• 85 V
• 100 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 1 nF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 15 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 165

• 10 мм.
• 130
• 170 V
• 200 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 500 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 30 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 340

• 10 мм.
• 140
• 180 V
• 220 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 450 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 32 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 360

• 10 мм.
• 115
• 150 V
• 180 V
• 25
• ТНТ
• 0.4 Вт
• 560 pF

Примітка: Максимальна поглинена енергія: 27 Дж | Максимальна напруга (8/20 us): 300

• Vishay
• SMD
• 10 ком
• 1.4х1.4х3.6 мм.
• -55..+155°C
• 1 %
• 50 ppm/°
• 0204 MiniMELF
• 0.4 Вт

Примітка: Матеріал резистивного елементу: thick film | Серія: MMA

• SMD
• Vishay
• 3.3 ком
• 0204 MiniMELF
• 1 %
• 0.4 Вт
• 1.4х3.6 мм.
• MMA
• -55..+155°C
• 200 V
• 50 ppm/°
• Тонка плівка

• Вивідні
• Vishay
• 330 Ом
• 1 %
• 0.4 Вт
• 1.6х3.6 мм.
• MBA0204
• -55..+155°C
• Металоксідний
• Циліндричний
• Дротяні
• 0.5x29 мм.
• 0204
• 1.6 мм.
• 3.6 мм.

• Вивідні
• Vishay
• 1.5 МОм
• 1 %
• 0.4 Вт
• 1.6х3.6 мм.
• MBA0204
• -55..+155°C
• Металоксідний
• Циліндричний
• Дротяні
• 0.5x29 мм.
• 0204
• 1.6 мм.
• 3.6 мм.