Транзистор полевой MOSFET HYG080N10LS1C2

4

Код: 624699

Транзистор полевой MOSFET HYG080N10LS1C2 - № 1

Особенности:

  • Huayi
  • На складе
63 грн.Спец. цена 53 грн.

В наличии

Оплата
Онлайн картой банка / Наложенный платеж во время получения / Безналичный расчет
Доставка
На отделение «Нова пошта» / На почтомат «Нова пошта» / На отделение «Укрпошта»

Про товар

Технические характеристики

  • Корпус: TDFN-8 (5,2 × 5,9 мм).
  • Напряжение сток-исток (Vds): 100 В.
  • Постоянный ток стока (Id): 65 А.
  • Сопротивление сток-исток (RDS(on)): 9,4 мОм при 4,5 В, 20 А.
  • Рассеиваемая мощность (Pd): 71 Вт.
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 1 В.
  • Обратная проходная ёмкость (Crss): 39 пФ.
  • Тип: 1 N-канальный транзистор.
  • Входная ёмкость (Ciss): 2,07 нФ.
  • Заряд затвора (Qg): 30,2 нКл при 10 В.
  • Температура эксплуатации: от -55 °C до +175 °C.

Характеристики

Бренд Huayi
Наличие на складе Да

Вопросы и отзывы

Вопросов еще нет, но Вы можете быть первым

Отмеченные поля * обязательны к заполнению.

Оцените товар
Гарантия
Каждый товар гарантировано поступит к покупателю точно в обговоренный срок
Доставка
Доставка товара любым из удобных Вам предложенных способов
Возврат товара
Возврат товара осуществляется в течение 14 дней после покупки, в соответствии с действующим законом
Оплата при получении товара
Оплата проводится во время получения товара, наложенным платежом

Похожие товары