Транзистор полевой MOSFET HYG053N10NS1C2
Код: 624700
Про товар
Технические характеристики
- Корпус: PDFN-8 (5 × 5,8 мм).
- Напряжение сток-исток (Vds): 100 В.
- Постоянный ток стока (Id): 95 А.
- Рассеиваемая мощность (Pd): 83,3 Вт.
- Сопротивление сток-исток (RDS(on)): 4,6 мОм при 10 В, 20 А.
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3 В.
- Обратная проходная ёмкость (Crss): 153 пФ.
- Тип: 1 N-канальный транзистор.
- Входная ёмкость (Ciss): 3,744 нФ при 0 В.
- Заряд затвора (Qg): 73 нКл.
- Температура эксплуатации: от -55 °C до +175 °C.
Характеристики
| Бренд | Huayi |
|---|---|
| Наличие на складе | Да |
- Гарантия
- Каждый товар гарантировано поступит к покупателю точно в обговоренный срок
- Доставка
- Доставка товара любым из удобных Вам предложенных способов
- Возврат товара
- Возврат товара осуществляется в течение 14 дней после покупки, в соответствии с действующим законом
- Оплата при получении товара
- Оплата проводится во время получения товара, наложенным платежом
Похожие товары













Вопросы и отзывы
Вопросов еще нет, но Вы можете быть первым
Отмеченные поля * обязательны к заполнению.