Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 7

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,5 A
• 2,5 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 120 A
• 4,2 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6772 pF / 50 V | Заряд затвора: 90 nC / 50 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 35 A
• 99 mOhm
• 252 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 133 pF / 100 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 65 V
• 25 В
• 65 A
• 8,4 mOhm
• 98 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3139 pF / 32 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 110 A
• 5,6 mOhm
• 137 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 3135 pF / 30 V | Заряд затвора: 77 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 118 A
• 10,1 mOhm
• 227.3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 309 pF / 30 V | Заряд затвора: 17.7 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 207 A
• 3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• Crmicro
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 4 A
• 2,8 Ohm
• 75 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 564 pF / 10 V | Заряд затвора: 15.8 nC / 10 V

• AOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 3,6 A
• 50 mOhm
• 1.4 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 210 pF / 15 V | Заряд затвора: 5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 13 A
• 14,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1885 pF / 15 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 2,8 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3120 pF / 15 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 1,7 mOhm
• 6.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 2994 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 12,5 A
• 66 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 415 pF / 50 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 70 A
• 75 V
• TO-220
• Полевые N-канальные

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 60 A
• 55 В
• 110 W
• 16 В
• 23

• Diodes Incorporated
• Полевые N-канальные
• 4,9 A
• 6,2 A
• 30 В
• 0,9 W
• 20 В
• 44 A
• 18,4

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 6 A
• 20 В
• 1,4 W
• 12 В
• 30 A
• 12,5

• A&O
• Полевые N-канальные
• 23 A
• 30 A
• 30 В
• 25 W
• 25 В
• 100 A
• 13,5

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 25 A
• 500 В
• 297 W
• 30 В
• 100 A
• 67

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 123 A
• 195 A
• 80 В
• 192,3 W
• 20 В
• 780 A
• 77,9

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 0,18 A
• 0,23 A
• 60 В
• 0,36 W
• 20 В
• 0,92 A
• 1,4

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 12,9 A
• 20 A
• 500 В
• 250 W
• 30 В
• 80 A
• 50

• A&O
• Полевые N-канальные
• 36 A
• 46 A
• 80 В
• 2,5 W
• 20 В
• 160 A
• 38

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 100 A
• 80 В
• 255 W
• 20 В
• 568 A
• 140