Электронные компоненты для электронных компонентов. Страница 48

• INFIN
• PQFN3.3x3.3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 21 A
• 3,8 mOhm
• 2.7 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 50µA | Ёмкость затвора: 2155 pF / 25 V | Заряд затвора: 31 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• PG-TDSON-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 20 В
• 23 A
• 34 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 12µA | Ёмкость затвора: 756 pF / 40 V | Заряд затвора: 9.1 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 32 A
• 44 mOhm
• 130 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1960 pF / 25 V | Заряд затвора: 71 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 0,12 A
• 30 Ohm
• 500 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 1mA | Ёмкость затвора: 85 pF / 25 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 2,6V / 5V

• Crmicro
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 273 A
• 3,1 mOhm
• 454 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 1446 pF / 50 V | Заряд затвора: 169 nC / 10 V

• Crmicro
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1057 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 20 A
• 30 mOhm
• 2.5 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 650 pF / 20 V | Заряд затвора: 10.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 20 В
• 13 A
• 105 mOhm
• 2.5 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2065 pF / 100 V | Заряд затвора: 40 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 100 A
• 100 В
• 255 W
• 20 В
• 434 A
• 140

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 56 A
• 55 В
• 110 W
• 20 В
• 70

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 3,7 A
• 6 A
• 950 В
• 7 W
• 20 В
• 16 A
• 15

• Niko-Sem
• Полевые N-канальные
• 35 A
• 50 A
• 25 В
• 50 W
• 20 В
• 200 A
• 25

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 70 A
• 98 A
• 80 В
• 107 W
• 20 В
• 392 A
• 36

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 80 A
• 80 A
• 75 В
• 150 W
• 20 В
• 320 A
• 51

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 10,1 A
• 16 A
• 400 В
• 170 W
• 20 В
• 64 A
• 45

• NEC
• Полевые N-канальные
• 150 A
• 60 В
• 326 W
• 20 В
• 961 A
• 140

• A&O
• Полевые N-канальные
• 157 A
• 220 A
• 40 В
• 417 W
• 20 В
• 500 A
• 287

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 130 A
• 75 В
• 250 W
• 20 В
• 120

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 105 A
• 75 В
• 200 W
• 20 В
• 150

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 11,1 A
• 15,7 A
• 60 В
• 30 W
• 20 В
• 62,8 A
• 13

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 4,7 A
• 60 В
• 5 W
• 20 В
• 20 A
• 8

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 6,2 A
• 9,8 A
• 200 В
• 40 W
• 20 В
• 39 A
• 70