Электронные компоненты для электронных компонентов

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 300 V
• 30 В
• 70 A
• 42 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 8280 pF / 25 V | Заряд затвора: 136.2 / 10 V

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 11 A
• 20 A
• 500 В
• 250 W
• 30 В
• 80 A
• 76

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 12,9 A
• 20 A
• 500 В
• 250 W
• 30 В
• 80 A
• 50

• Toshiba
• Полевые N-канальные
• 9 A
• 900 В
• 250 W
• 30 В
• 27 A
• 46

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 650 V
• 50 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 102 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.72 | Время включения: 46ns |...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO247-3
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 120 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 21ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-220
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 22ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 193 nC | Время включения: 42ns | Время выключения: 432ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 80 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 38ns | ...

• IGBT
• AOS
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 120 А
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 128 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 73ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 74 А
• 250 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 95 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.65 | Время включения: 18ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 57 nC

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-247
• 600 V
• 41 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 140 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 44ns | ...

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-247-3
• 1200 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 160 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время выключения: 165ns

• IGBT
• Fair
• THT
• TO-264
• 600 V
• 160 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 345 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1 | Время включения: 40ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 600 V
• 70 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 135 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 46ns | ...

• IGBT
• INFIN
• THT
• PG-TO247-3
• 600 V
• 30 А
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 141 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 20ns | Время выключения: 250ns

• Vishay
• TO-247AC
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 40 A
• 65 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2700 pF / 100 V | Заряд затвора: 74 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 24 A
• 145 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2740 pF / 100 V | Заряд затвора: 122 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 26 A
• 145 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1980 pF / 100 V | Заряд затвора: 86 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 14 A
• 450 mOhm
• 250 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1910 pF / 25 V | Заряд затвора: 81 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 120 A
• 0,0035 Ohm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1725 pF / 10 V | Заряд затвора: 123 nC / 10 V

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 100 A
• 4,2 mOhm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4680 pF / 30 V | Заряд затвора: 53 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 200 A
• 1,7 mOhm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 11400 pF / 20 V | Заряд затвора: 75 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...